第177章 nm光刻机研制成功（2/2）

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“因为要用28nm光刻机，实现7nm制程，最关键之处，在于多重曝光技术。

而多重曝光，需要将原本一层的电路，拆分成几层进行光刻，每次曝光都可能存在一定误差，曝光次数越多，累积误差就越大，最终导致良率大幅降低。

不仅如此，曝光次数越多，在每小时晶圆片数不变的情况下，晶圆产出效率越低。

这意味着，不仅产能受限，设备的使用时间，和能耗、人力等成本也会上升，再叠加良率，整个成本会大幅飙升。

另外，多重曝光需要更复杂的工艺控制和配套技术，对光刻胶的性能，以及后续的刻蚀、沉积等工艺都有更高要求，只要一个环节出问题，就会影响到量产。

我觉得，用28nm光刻机，实现7nm制程，完全得不偿失，与其在这上面花工夫，还不如趁早研制出14nm甚至7nm光刻机。

反正，研制光刻机又不难，可能7nm制程还没实现，7nm光刻机先出来了。”

江晟：“……”

在经历65nm和28nm光刻机研发后，臧教授也是越来越自信了，竟然说“研制光刻机又不难”。

不过话说回来，任何一个人站在对方角度，只需一年就能研制出新一代光刻机，都会自信心爆棚。

江晟无言以对，只得点点头，鼓励道：

“好吧，那我等你的14nm或5nm光刻机先出来。”

“没问题。”

臧教授一脸的当仁不让，想了想又接着说道：

“14nm和28nm有极大差别，28nm以上属于DUV深紫外光刻，而14nm属于EUV极紫外光。

在这一点上，我们的积累很少，包括供应商，也面临很多困难。

所以我想，既然大家都没有什么积累，那干脆换个路线，不知是否可行？”

“你想换什么路线？”

“要换，肯定换成比EUV更有潜力，在制程、效率和成本等方面更有优势的路线。”

随即，臧教授认真为江晟讲解起来。

目前，在理论上潜力超越EUV的技术路线，主要有五条。

第一条，是EUV极紫外光刻的下一代——高数值孔径EUV，而这正是阿斯麦探索的方向，直接被PASS。

第二条，是EBL电子束光刻，优势是无需复杂的光学系统，分辨率可达0.1nm以下，天然适配3nm及更先进制程，如果能解决吞吐量问题，或许能跳过EUV的物理限制，直接进入原子级精度。

这条路线，目前主要有小日子的富士通和东瀛电子等公司，在前面探索。

第三条，是NIL纳米压印光刻，通过物理压印模板复制电路图案，可以完全避开光学衍射限制。

而且，NIL设备成本仅为EUV的1/5甚至1/10，制程步骤简单，理论上可支持1nm级精度，缺点是模板寿命较低，还有大面积压印的均匀性和缺陷率存在瓶颈。

采用这条路线的，主要是铠侠、镁光等做存储芯片的公司，因为缺陷率问题，暂时还不适用于逻辑芯片，也就是CPU。

第四条，是XRL，即X射线光刻，其优势是介于EUV和电子束之间，兼具高分辨率和较高吞吐量，但掩膜材料容易被辐射损坏，而且X射线难以通过透镜折射。

第五条，是ALL原子层光刻，其原理是通过化学吸附或物理沉积，在晶圆表面逐个原子/分子构建电路图案，精度可达单个原子尺度，即0.1nm以下。

这是光刻技术的终极形态，可以完全摆脱光学或电子束的物理限制，在理论上没有最小制程瓶颈，且材料利用率接近100%。

但相应的，原子层光刻也是研发难度最大的。

目前，即使在实验室中，也只能实现单原子线等简单结构，想要实现复杂芯片的大规模组装，可能还有数十年距离。

听完介绍，江晟沉吟片刻，对臧教授道：

“你想选哪条路线？”